半導(dǎo)體(semiconductor)指室溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料。半導(dǎo)體材料導(dǎo)電性能可通過(guò)摻雜來(lái)改變，摻雜進(jìn)入本質(zhì)半導(dǎo)體的雜質(zhì)濃度與極性皆會(huì)對(duì)半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性產(chǎn)生很大影響。摻入施主雜質(zhì)的半導(dǎo)體，導(dǎo)電載流子主要是導(dǎo)帶中的電子，摻入受主雜質(zhì)的半導(dǎo)體，屬空穴型導(dǎo)電。 　　半導(dǎo)體材料的發(fā)現(xiàn)可以追溯到19世紀(jì)。1833年，英國(guó)法拉第發(fā)現(xiàn)了硫化銀半導(dǎo)體特有的導(dǎo)電現(xiàn)象。大約1911年，半導(dǎo)體這個(gè)名詞被考尼白格和維斯使用。20世紀(jì)初期，盡管人們對(duì)半導(dǎo)體認(rèn)識(shí)比較少，但是對(duì)半導(dǎo)體材料的應(yīng)用研究比較活躍。20世紀(jì)50年代，為了改善晶體管特性，提高其穩(wěn)定性，半導(dǎo)體材料的制備技術(shù)迅速發(fā)展。從20世紀(jì)80年代開(kāi)始，量子線(xiàn)材料及其半導(dǎo)體量子器件的研究成為材料科學(xué)研究領(lǐng)域的熱點(diǎn)，在國(guó)際上掀起了納米科技的研究高潮。20世紀(jì)90年以后，隨著通信的飛速發(fā)展、第二代半導(dǎo)體材料開(kāi)始嶄露頭角。進(jìn)入21世紀(jì)，以SiC、GaN、金剛石等為代表的第三代半導(dǎo)體材料開(kāi)始初露頭角。 　　常見(jiàn)的半導(dǎo)體材料有硅、鍺、砷化鎵等。半導(dǎo)體按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類(lèi)。根據(jù)參入雜質(zhì)可分為N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體。半導(dǎo)體的性質(zhì)包括光學(xué)性質(zhì)和運(yùn)輸性質(zhì)等。半導(dǎo)體在集成電路、消費(fèi)電子、通信系統(tǒng)、光伏發(fā)電、照明、大功率電源轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域都有應(yīng)用，如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。